產(chǎn)品描述:
Lambda顯微高光譜成像系統(tǒng)可適配于市場上的大部分顯微鏡,其高光譜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)由面陣探測器、驅(qū)動電源、運動控制模塊、數(shù)據(jù)采集模塊等集成于一體,無需電動位移臺,大大減小了系統(tǒng)的體積與重量,外觀簡潔,與顯微鏡搭配使用操作簡單、方便。
產(chǎn)品性能
應用案例
生物醫(yī)學領(lǐng)域:
可應用于腫瘤細胞的判別、出血性息肉的判別、肉白班的識別、淋巴細胞白血病的篩查、細胞質(zhì)和細胞核的 區(qū)分、細胞數(shù)的計算等。
基于顯微高光譜的喉部黏膜出血性息肉和肉白斑區(qū)域快速識別(紅色區(qū)域)
20倍目鏡下顯微高光譜判別腫瘤位置及異常細胞擴散位置
基于顯微高光譜計算細胞核、細胞質(zhì)和其他物質(zhì)的快速區(qū)分 根據(jù)細胞質(zhì)心位置計算細胞數(shù)目(一共402個)
暗場散射納米顆粒檢測
暗場顯微是在暗場照明下實現(xiàn)的一種特殊顯微手法,可以避免與被觀測物體無關(guān)的光線進入物鏡,在暗背景中呈 現(xiàn)清晰的物體輪廓。應用該方法可見到小至4~200nm的微粒子,分辨率可比普通明場照明顯微法高50倍。搭載高光 譜成像系統(tǒng)的顯微鏡可判別其微粒子種類等。
圖中是在單次氣管內(nèi)滴注低(18 pg)和高(162 pg)納米二氧化鈦后,對來自小鼠的肺組織進行VNIR高光譜成 像,以確定這些組織中的顆粒滯留位置。
納米二氧化鈦暴露組織的暗場圖像(上圖)
來自納米二氧化鈦暴露組織的暗場高光譜圖像識別出這些納米顆粒,他們表現(xiàn)為白色包裹體的聚集體(中圖)
這些組織中納米二氧化鈦在高光譜圖顯示為紅點或聚集體(下圖)
OLED顯示屏發(fā)光測試
顯微高光譜成像系統(tǒng)通過不同倍數(shù)的目鏡,可以獲取更高空間分辨率的OLED顯示屏的發(fā)光圖像,通過高光譜圖像數(shù) 據(jù)"圖譜合一”的特點檢測OLED顯示屏發(fā)光的均勻性及穩(wěn)定性。
20X、50X和100X下檢測OLED顯示屏的發(fā)光情況
晶片材料、缺陷檢測
無接觸、無損傷、快速準確的微區(qū)測量技術(shù),可在室溫下操作,也可以在生產(chǎn)中進行在線測量,可得到整個 晶片的PL Mapping,從而可得到襯底或外延層的組分配比、缺陷以及材料其他屬性的微區(qū)均勻性的重要信息?;陲@微高光譜成像技術(shù)可在細微尺度上鑒別晶片的材質(zhì)以及樣品發(fā)光中心濃度的變化等。
植入硼、鋁以及無植入特殊材質(zhì)下晶片在顯微鏡高光譜成像系統(tǒng)下的圖像及光譜
鈣鈦礦晶體中的應用
顯微高光譜成像系統(tǒng)在鈣鈦礦晶體材料不均一性問 題的檢測與傳統(tǒng)檢測技術(shù)如共聚焦顯微成像等相比,具有以下優(yōu)點:單次整視場成像;在PL成像實驗中該系統(tǒng)的激發(fā)光源在視野中的強度是均勻分布的;可獲得光譜強度的定量值。
鈣鈦礦PL數(shù)據(jù)。圖(a)和(b)顯示了分別在625nm和750nm處拍攝的兩張不同的單色PL圖像
圖(c)為圖1中不同位置的光譜圖
圖(d)為指定區(qū)域PL圖譜頻移成像圖
LED/OLED光源顯示屏上的應用
顯微高光譜技術(shù)逐漸在半導體材料和器件的測試領(lǐng)域得到應用。顯微高光譜成像技術(shù)目前主要應用于半導體 材料發(fā)光均勻性研究,對半導體材料的缺陷進行檢測分析,對LED芯片表面溫度空間分布等。
顯微高光譜反演不同LED光源面板的溫度
1、生物醫(yī)學領(lǐng)域
2、暗場散射納米顆粒檢測
3、OLED顯示屏發(fā)光測試
4、晶片材料
5、缺陷檢測
6、鈣鈦礦晶體中的應用
7、LED/OLED光源顯示屏上的應用